速度較 DDR4 快一倍   Samsung DDR5 RAM 發表

2021-03-26 10:33
Samsung 發表了全新 DDR5 RAM 記憶模組,當中 512GB DDR5 模組是全球首次採用 HKMG(High-K Metal Gate)技術,提供高達 7,200Mbps 的速度,較 DDR4 RAM 多出一倍。現階段這項全新 RAM 模組將會為超級電腦、人工智能和機器學習等功能而設,未來亦會面向普通家用電腦,以提升遊戲和其他應用的效能。
 
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Samsung 透露每粒晶片會用上 8 層 16Gb DRAM,以達到 128Gb 或 16GB 的容量,要製作一個 512GB 的 RAM 模組,就要 32 枚上述的晶片。除了擁有極佳的速度和容量,採用 HKMG 技術亦令這款 RAM 模組,較不使用 HKMG 技術的省電達 13%,對於數據中心來說肯定是一個好消息。
 
速度高達 7,200Mbps 令這款 RAM 模組可以在單管道得到 57.6GB/s 的傳輸速度,基於配合八管道的 DDR5 記憶控制器架構,傳輸速度更有望達到 460GB/s。有傳聞指 AMD 會在明年公佈家用電腦的 Zen 4 平台,屆時亦會支持 DDR5 RAM。
 
資料來源:engadget